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FPM DRAM ( リダイレクト:Dynamic Random Access Memory ) : ウィキペディア日本語版
Dynamic Random Access Memory[だいなみっく らんだむ あくせす めもり]
Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリの1種である。記憶素子であるRAMの1種で、リフレッシュ(記憶保持動作)を必要とするダイナミックメモリによるRAMである。コンピュータの主記憶装置やデジタル・テレビやデジタル・カメラなど多くの情報機器の記憶装置に用いられる。
DRAMは、キャパシタ(コンデンサ)に電荷を蓄えることにより情報を記憶するため、電源供給がなくなると記憶情報も失われる(揮発性メモリ)。そのため、長期記録には向かず、情報処理過程の一時的な作業記憶に用いられる。
== 名称 ==
DRAMでは、キャパシタに蓄えられた電荷によって情報が記憶されるが、この電荷は時間とともに失われるため、常に電荷を更新(リフレッシュ)し続けなければならない。この「常に動き続ける」という特徴から「ダイナミック」(動的)という名前が付いている。
ニュースなどでは「記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しできる半導体記憶回路」などの長い名前で紹介されることがある。
現在では、記憶セルがDRAMセルの構造で、インターフェースがSRAMと同じ疑似SRAMもある。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「Dynamic Random Access Memory」の詳細全文を読む

英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Dynamic random-access memory 」があります。




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